近日，據國家智慧財產權局官網訊息，華為技術有限公司於11月15日公佈了一項於光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。
積體電路製造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著積體電路晶圓上電路的特徵尺寸和晶片內電晶體的數量，是積體電路製造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中採用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者採用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了最佳化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設定旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射後，透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻解析度和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是透過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場複眼鏡31(fieldflyeyemirror，FFM)、光闌複眼鏡32(diaphragmflyeyemirror，PFM)、中繼鏡組33；
其中，中繼鏡組33通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3透過視場複眼鏡31將來自相干光源1的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌複眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，並透過中繼鏡組33進行視場大小和/或形狀調整後，投射到掩膜版4的照明區域。
透過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設定反射鏡2，在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射後相位不斷髮生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射後的光線透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強平均化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
（免責宣告：本網站內容主要來自原創、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現的資訊，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供資訊的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，並對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。
任何單位或個人認為本網站中的網頁或連結內容可能涉嫌侵犯其智慧財產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，並提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律檔案後，將會依法儘快聯絡相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關連結。）
近日，據國家智慧財產權局官網訊息，華為技術有限公司於11月15日公佈了一項於光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。
積體電路製造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著積體電路晶圓上電路的特徵尺寸和晶片內電晶體的數量，是積體電路製造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中採用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者採用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了最佳化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設定旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射後，透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻解析度和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是透過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場複眼鏡31(fieldflyeyemirror，FFM)、光闌複眼鏡32(diaphragmflyeyemirror，PFM)、中繼鏡組33；
其中，中繼鏡組33通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3透過視場複眼鏡31將來自相干光源1的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌複眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，並透過中繼鏡組33進行視場大小和/或形狀調整後，投射到掩膜版4的照明區域。
透過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設定反射鏡2，在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射後相位不斷髮生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射後的光線透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強平均化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
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積體電路製造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著積體電路晶圓上電路的特徵尺寸和晶片內電晶體的數量，是積體電路製造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中採用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者採用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了最佳化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設定旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射後，透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻解析度和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是透過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場複眼鏡31(fieldflyeyemirror，FFM)、光闌複眼鏡32(diaphragmflyeyemirror，PFM)、中繼鏡組33；
其中，中繼鏡組33通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3透過視場複眼鏡31將來自相干光源1的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌複眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，並透過中繼鏡組33進行視場大小和/或形狀調整後，投射到掩膜版4的照明區域。
透過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設定反射鏡2，在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射後相位不斷髮生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射後的光線透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強平均化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
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積體電路製造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著積體電路晶圓上電路的特徵尺寸和晶片內電晶體的數量，是積體電路製造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中採用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者採用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了最佳化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設定旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射後，透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻解析度和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是透過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場複眼鏡31(fieldflyeyemirror，FFM)、光闌複眼鏡32(diaphragmflyeyemirror，PFM)、中繼鏡組33；
其中，中繼鏡組33通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3透過視場複眼鏡31將來自相干光源1的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌複眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，並透過中繼鏡組33進行視場大小和/或形狀調整後，投射到掩膜版4的照明區域。
透過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設定反射鏡2，在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射後相位不斷髮生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射後的光線透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強平均化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
（免責宣告：本網站內容主要來自原創、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現的資訊，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供資訊的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，並對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。
任何單位或個人認為本網站中的網頁或連結內容可能涉嫌侵犯其智慧財產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，並提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律檔案後，將會依法儘快聯絡相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關連結。）
近日，據國家智慧財產權局官網訊息，華為技術有限公司於11月15日公佈了一項於光刻技術相關的專利，專利申請號為202110524685X。
積體電路製造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉移、加工和形成環節，決定著積體電路晶圓上電路的特徵尺寸和晶片內電晶體的數量，是積體電路製造的關鍵技術之一。
隨著半導體工藝向7nm及以下節點的推進，極紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術。
相關技術的EUV光刻機中採用強相干光源在進行光刻時，相干光經照明系統分割成的多個子光束具有固定的相位關係，當這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣，出現有明暗變化、光強不均勻的問題，因此，必須先進行去相干處理(或者採用避免相干影響)，達到勻光效果，以保證光刻工藝的正常進行。
據披露，該專利申請提供一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法，涉及光學領域，能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的光刻裝置基礎上進行了最佳化，進而達到勻光的目的。
該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡)、照明系統3。其中，反射鏡2可以進行旋轉；例如，可以在光刻裝置中設定旋轉裝置，反射鏡2能夠在旋轉裝置的帶動下發生旋轉，如下圖所示。
在該光刻裝置中，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2的反射後，透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上，以進行光刻。
另外，在光刻裝置中，上述照明系統3作為重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現離軸照明等，以提高光刻解析度和增大焦深。述照明系統3的勻光功能可以是透過科勒照明結構實現。
該照明系統3包括視場複眼鏡31(fieldflyeyemirror，FFM)、光闌複眼鏡32(diaphragmflyeyemirror，PFM)、中繼鏡組33；
其中，中繼鏡組33通常可以包括兩個或者兩個以上的中繼鏡。照明系統3透過視場複眼鏡31將來自相干光源1的光束分割成多個子光束，每個子光束再經光闌複眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調整，並透過中繼鏡組33進行視場大小和/或形狀調整後，投射到掩膜版4的照明區域。
透過在相干光源1與照明系統3之間的光路上設定反射鏡2，在此情況下，相干光源1發出的光線經旋轉的反射鏡2反射後相位不斷髮生變化。
這樣一來，在經反射鏡2反射後的光線透過照明系統3分割為多個子光束並投射至掩膜版4上時，形成在掩膜版4的照明區域的干涉圖樣不斷變化，從而使得照明視場在曝光時間內的累積光強平均化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關技術中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題。
（免責宣告：本網站內容主要來自原創、合作伙伴供稿和第三方自媒體作者投稿，凡在本網站出現的資訊，均僅供參考。本網站將盡力確保所提供資訊的準確性及可靠性，但不保證有關資料的準確性及可靠性，讀者在使用前請進一步核實，並對任何自主決定的行為負責。本網站對有關資料所引致的錯誤、不確或遺漏，概不負任何法律責任。
任何單位或個人認為本網站中的網頁或連結內容可能涉嫌侵犯其智慧財產權或存在不實內容時，應及時向本網站提出書面權利通知或不實情況說明，並提供身份證明、權屬證明及詳細侵權或不實情況證明。本網站在收到上述法律檔案後，將會依法儘快聯絡相關文章源頭核實，溝通刪除相關內容或斷開相關連結。）
