【導讀】英特爾在官宣200億美元建廠之後，還要在未來追加到1000億美元，以建造全球最大的晶片製造基地，重振往日雄風!此外，美國晶片法案也準備就緒，計劃投資520億美元。
1000億美元晶片計劃，要重振英特爾往日雄風!
路透稱，英特爾將投資200億美元建設2家晶片製造工廠，並計劃最終投資多達1000億美元。新工廠的建設將於今年晚些時候開始，第一座晶圓廠將於2025年上線。
豪擲千億美元，建世界最大晶片工廠
最近，英特爾為了在晶片大戰中翻身，動作頻頻。據介紹，200億美元的先期投資是俄亥俄州歷史上最大規模的投資，將在新奧爾巴尼佔地1000英畝(約合400公頃)的土地上創造3000個就業機會。
未來，投資可能還會增至1000億美元，共建設8家制造工廠，也將是俄亥俄州有記錄以來最大的投資。英特爾CEO蓋爾辛格表示，「此舉不僅是為了提高晶片產能，也是為了重振英特爾在晶片製造領域的領先地位。」
目前，英特爾並沒有透露新晶圓廠將使用哪些製造技術。很明顯，新工廠將有助於支援英特爾的IDM 2.0戰略。該戰略是CEO蓋爾辛格信任上臺後提出的首秀晶片戰略。
開啟半導體「埃米時代」
2021年7月，英特爾公佈了有史以來最詳細的製程技術路線圖之一，展示了從現在到2025年乃至更遠的未來。從中可以看到，英特爾展現的工藝製成最後一步是Intel 20A，將於2024年開始量產。那麼，A是什麼?還有人調侃，提升工藝製程最好的辦法，難道是改名字嗎?這裡的「A」指的是Angstrom。英特爾稱，隨著行業越來越接近「1奈米」節點，英特爾改變命名方式，以更好地反映全新的創新時代。具體而言，在Intel 3之後的下一個節點將被命名為Intel 20A，這一命名反映了向新時代的過渡，即工程師在原子水平上製造器件和材料的時代——半導體的埃米時代。
Intel 20A將憑藉什麼技術才能開啟埃米時代?
英特爾給出了答案：RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術。RibbonFET是英特爾對Gate All Around電晶體的實現，將成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。其次，PowerVia是英特爾獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，透過消除晶圓正面供電佈線需求來最佳化訊號傳輸。
除了Intel 20A，更進一步的Intel 18A節點也已在研發中，將於2025年初推出。蓋爾辛格表示，「摩爾定律仍在持續生效。對於未來十年走向超越1nm節點的創新，英特爾有著一條清晰的路徑。我想說，在窮盡元素週期表之前，摩爾定律都不會失效，英特爾將持續利用矽的神奇力量不斷推進創新。」
搶購最強光刻機，「牙膏廠」捷足先登
有了長遠佈局，製造工廠，還得配備最先進的光刻機。儘管阿斯麥(ASML)最新型號的光刻機還未投產，但英特爾已經打錢預定了。
近日，ASML爆出其新一代高數值孔徑光刻機將於2025年首批供應給英特爾，價格將達到3億美元，比現在最高階的EUV貴一倍。這臺光刻機型號為High-NA量產型EUV光刻機EXE:5200，將採用不同的鏡頭系統，NA更大，是業界最強的光刻機。據阿斯麥發言人稱，更高的光刻解析度將允許晶片縮小1.7倍，同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴高NA EUV光刻機。
作為製造晶片最先進的裝置，光刻機的先程序度等直接決定了晶片的製程工藝。目前來看，荷蘭的ASML幾乎壟斷了世界上的高階光刻機，且產量非常少，價格貴。自2017年ASML第一臺量產的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm/5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產都是依賴於0.55數值孔徑的EUV光刻機來進行生產。
美晶片法案，520億美元待敲定
有了光刻機還不夠，美國還要出臺法案支援造晶片。路透稱，美眾議院將很快推出一項涉及520億美元的投資法案，以提高在這一方面美國對中國的競爭力。美國眾議院議長佩洛西表示，法案已經非常接近就緒。同時她在一封信中指出，「眾議院立法將加強我們在晶片方面的投資，加強我們的供應鏈並改變我們的研究能力，以及許多其他關鍵條款。」然而，這不是美國在晶片方面的第一次佈局。
2021年6月8日，美國國會參議院以68票贊成、32票反對的結果，通過了長達1400多頁《2021美國創新與競爭法案》。其中就有用於半導體、晶片和電信領域的540億美金。而這些科研投入的一個重要目的就是——應對中國的科技威脅。1990年，美國佔據著全球37%的半導體市場。隨著時間的推移，預計到2030年，美國將只佔有全球10%的市場。剩下的市場份額去哪裡了呢?答案是包括中國在內的外國競爭者。正因如此，美國為了維持自身的在該領域的壟斷地位，才推出了創新競爭法案，批准了大量投資。另外值得一提的是，除了大量投資，美國在該法案中所提出的禁止人才外流也是一個重點，其強調智慧財產權保護和網路安全。該法案在提出獲批後，一年時間裡因為種種原因停滯不前。此次美520億美元新投資將是去年創新與競爭法案的延續。
英特爾&臺積電&三星，三足鼎力
當下，全球晶片競爭異常激烈，各國和各企業都想佔據著半導體製造業的國際領導地位。作為未來的戰略技術，美國的英特爾、中國臺灣的臺積電、韓國的三星都在紛紛佈局。
英特爾=基業長青+長遠佈局
如今，英特爾的1000億美元建廠，將使本來在新技術領域平平淡淡的俄亥俄州，瞬間升級為一顆「矽中心」的耀眼新星。對於俄亥俄州來說，這是一件大事，由此，它將被形容為「俄亥俄州版的加州矽谷」。投資1,000億美元，佔地1000英畝，花費10年時間，這是一個很大的目標，也是英特爾近40年來首次在新制造基地破土動工。英特爾用其慧眼，構築偉大戰略，使其成為世界上最大的半導體制造企業之一。「它不會對當前的晶片危機產生任何影響。」分析師認為，英特爾的投建計劃並不能用於解決今天的晶片短缺問題，因為這家晶片廠將於2025年才上線。
英特爾發言人威廉莫斯表示，「我們的目標是在未來10年投資1000億美元，但如果沒有聯邦政府的支援，這一目標將很難在那段時間內實現。不過，最初的200億美元投資並不依賴聯邦補貼。」英特爾還將大量資本用於勞動力培訓，它計劃10年內花費1億美元用於半導體教育，包括培養高技能人才。屆時，隨著大批高技能人才輸出，英特爾表示，員工的平均年薪將達13.5萬美元(約85.6萬元)。1968年誕生於美國矽谷的英特爾，從戈登·摩爾發明摩爾定律開始，走到今天以資料為中心傲然於世。
臺積電=資本+技術+工藝
2021年年底，臺積電正式提出2nm以及後續1nm晶圓廠的擴建計劃，預計總投資金額將高達8000億至1萬億新臺幣(約1840-2300億元)，佔地近100萬平方米。臺積電，這家全球最大、技術最先進的蝕刻晶片公司，在推動晶片製造的同時，還保持了老節點的穩定和有利可圖的生產。「臺積電本身就是一臺印鈔機」，基於臺積電的強勁發展與盈利情況，有文章甚至這樣評價。那麼，臺積電是如何做到這一切的呢?
資本支出與收入比十分穩定
高階投資分析師塞巴斯蒂安侯(Sebastian Hou)指出，如果臺積電在3年內的資本支出增加1倍，臺積電的收入和利潤就會在5年內增加1倍。不過，臺積電執行長衛哲(CC Wei)和首席財務官黃文德(Wendell Huang)並不贊成將這種演算法，「事情沒那麼簡單」。晶片製造裝置和晶片本身的複雜性，以及獲得裝置的前置時間正變得越來越長，這可能會在資本支出和收入產生之間產生更多的時間差。不過，越來越提前的支付協議，幫助臺積電擁有更多的現金，從而可以進行更大的投資。
將兩年前的資本支出乘以2，就可以預測臺積電今年的收入。比如：2019年，臺積電資本支出149億美元，收入346億美元;2020年，臺積電資本支出300億美元，收入568億美元;數學是很有說服力的，臺積電的資本支出與收入之比接近1.0。與英特爾不同，臺積電實際上擁有足夠的資金進行代工投資。「臺積電銀行裡有很多錢，有能力繼續投資晶圓廠和基礎研究。」分析師認為。
高效能計算的強勁推動
所謂高效能計算，就是用於CPU、GPU、NPU等專用積體電路晶片。臺積電的「高效能計算」業務，大約在2018年才啟動，但高效能計算領域卻給臺積電實現了很好的收入增長。僅拿2021年Q4資料來看，蝕刻智慧手機晶片的收入下降了8.4%，而高效能計算的銷售卻增長了26.7%。
全球首屈一指的工藝
在過去的3年裡，臺積電可以收取來自工藝方面的溢價。2021年Q4顯示，臺積電平均每12英寸晶圓的銷售額為4225美元，此前最高時還可達4566美元。「技術領先使臺積電能夠抓住對世界先進技術的強勁需求。」臺積電執行長衛哲(CC Wei)說。
三星=大步國外+利用優惠
2021年11月，三星將在美國德克薩斯州建設一個新的170億美元的晶片廠，備受全球關注。泰勒市為三星在當地設廠提供了激勵措施，相當於三星在頭10年享受超過90%的財產稅減免。
《華爾街日報》指出，新工廠佔地約1,200英畝，比三星之前建在30英里之外的奧斯汀廠還要大。作為儲存晶片製造領域的巨頭，三星電子裝置解決方案部門負責人Kinam Kim表示，在美國建晶片廠是「為全球半導體供應鏈的穩定做貢獻」。這家新工廠可以生產先進的3奈米晶片，曾為高通和英偉達的晶片製造商，三星的技術在不斷前進。
來源：百度
