聯電推出首款 RFSOI 3D IC 射頻解決方案:減少 45% 芯片面積

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聯電推出首款 RFSOI 3D IC 射頻解決方案:減少 45% 芯片面積

來源:怎樣不禿頂 釋出時間:2024-05-06 23:21

IT之家 5 月 2 日訊息,聯華電子(UMC)本日宣佈推出業界首款 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案,在 55nm RFSOI 製程平臺上使用矽晶元堆疊技術,在不損耗射頻效能的前提下,可將晶片尺寸縮小 45% 以上。

聯電錶示,RFSOI 是用於低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程,其 RFSOI 3D IC 解 方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵元件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,準備投入量產。

聯電稱未來將持續開發如 5G 毫米波晶片堆疊技術的解決方案。

IT之家此前報道,訊息稱聯電斬獲威訊的 3D IC 外包訂單,為即將推出的 iPhone 16 系列的天線模組生產關鍵晶片,據悉產量將達到數萬片。

IT之家 5 月 2 日訊息,聯華電子(UMC)本日宣佈推出業界首款 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案,在 55nm RFSOI 製程平臺上使用矽晶元堆疊技術,在不損耗射頻效能的前提下,可將晶片尺寸縮小 45% 以上。

聯電錶示,RFSOI 是用於低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程,其 RFSOI 3D IC 解 方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵元件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,準備投入量產。

聯電稱未來將持續開發如 5G 毫米波晶片堆疊技術的解決方案。

IT之家 5 月 2 日訊息,聯華電子(UMC)本日宣佈推出業界首款 RFSOI 製程技術的 3D IC 解決方案,在 55nm RFSOI 製程平臺上使用矽晶元堆疊技術,在不損耗射頻效能的前提下,可將晶片尺寸縮小 45% 以上。

聯電錶示,RFSOI 是用於低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程,其 RFSOI 3D IC 解 方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵元件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,準備投入量產。

聯電稱未來將持續開發如 5G 毫米波晶片堆疊技術的解決方案。

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聯電錶示,RFSOI 是用於低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程,其 RFSOI 3D IC 解 方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題,將裝置中傳輸和接收資料的關鍵元件,透過垂直堆疊晶片來減少面積,準備投入量產。

聯電稱未來將持續開發如 5G 毫米波晶片堆疊技術的解決方案。

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