臺積電計劃 2027 推出 12 個 HBM4E 堆疊的 120x120mm 晶片

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臺積電計劃 2027 推出 12 個 HBM4E 堆疊的 120x120mm 晶片

來源：笑聲快車 釋出時間：2024-05-01 01:34

IT之家 4 月 28 日訊息，臺積電近日在北美技術研討會上宣佈，正在研發 CoWoS 封裝技術的下個版本，可以讓系統級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實現 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達到千瓦級別。

根據臺積電官方描述，CoWoS 封裝技術繼任者所建立的矽中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。

CoWoS 封裝技術繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 記憶體堆疊、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。訊息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術。IT之家附上截圖如下：

臺積電計劃 2026 年投產下一代 CoWoS_L，矽中介層尺寸可以達到光掩模的 5.5 倍，可以封裝邏輯電路、 12 個 HBM3 / HBM3E 記憶體堆疊、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達到 4719 平方毫米。

臺積電還計劃在 2027 年繼續推進 CoWoS 封裝技術，讓矽中介層尺寸達到光掩模的 8 倍以上，提供 6864 平方毫米的空間，封裝 4 個堆疊式整合系統晶片 (SoIC)，與 12 個 HBM4 記憶體堆疊和額外的 I / O 晶片。

IT之家 4 月 28 日訊息，臺積電近日在北美技術研討會上宣佈，正在研發 CoWoS 封裝技術的下個版本，可以讓系統級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實現 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達到千瓦級別。

根據臺積電官方描述，CoWoS 封裝技術繼任者所建立的矽中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。

CoWoS 封裝技術繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 記憶體堆疊、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。訊息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術。IT之家附上截圖如下：

IT之家 4 月 28 日訊息，臺積電近日在北美技術研討會上宣佈，正在研發 CoWoS 封裝技術的下個版本，可以讓系統級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實現 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達到千瓦級別。

根據臺積電官方描述，CoWoS 封裝技術繼任者所建立的矽中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。

CoWoS 封裝技術繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 記憶體堆疊、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。訊息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術。IT之家附上截圖如下：

IT之家 4 月 28 日訊息，臺積電近日在北美技術研討會上宣佈，正在研發 CoWoS 封裝技術的下個版本，可以讓系統級封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實現 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達到千瓦級別。

根據臺積電官方描述，CoWoS 封裝技術繼任者所建立的矽中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。

CoWoS 封裝技術繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 記憶體堆疊、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。訊息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術。IT之家附上截圖如下：

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