丟掉AI晶片大單急了?三星被曝將引入SK海力士的技術

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丟掉AI晶片大單急了?三星被曝將引入SK海力士的技術

來源:躺著看電影 釋出時間:2024-03-13 14:51

丟掉AI晶片大單急了?三星被曝將引入SK海力士的技術

劃重點:

  • 1 報道稱,在AI晶片競賽中落後的三星將引入競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術。
  • 2 三星計劃在其最新的HBM晶片中同時使用NCF和MUF製造技術。
  • 3 三星已經下達了用於MUF技術的晶片製造裝置採購訂單,但大規模投產或等到明年。

騰訊科技訊 3月13日訊息,據國外媒體報道,援引多位知情人士透露,韓國三星電子公司宣佈啟動全新晶片製造計劃,此舉旨在借鑑競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術,以在全球高階人工智慧晶片生產競賽中迎頭趕上。

不過,三星電子方面回應稱,關於其將在HBM晶片生產中應用MUF技術的傳言並不屬實。

隨著生成式人工智慧技術的迅猛發展,市場對高頻寬儲存(HBM)晶片的需求呈井噴之勢。然而,與同行SK海力士和美光科技相比,三星在與人工智慧晶片巨頭英偉達的交易中卻缺席了。如今,三星決定另闢蹊徑,開啟新工藝,以滿足市場對最新HBM晶片的迫切需求。

業內分析人士和觀察家們普遍認為,三星電子在這場競爭中之所以落後,很大程度上源於其堅持採用非導電薄膜(NCF)晶片製造技術,這項技術曾一度引發生產問題。相比之下,SK海力士則明智地轉向批量回流模製底部填充(MR-MUF)方法,有效解決了NCF技術的弊端。

然而,據三名知情人士透露,三星最近已下達採購訂單,採購用於MUF技術的晶片製造裝置。他們表示:“三星必須採取果斷措施,提高HBM晶片的產量。對於三星而言,採用MUF技術無疑是一種屈辱,因為它最終走上了SK海力士最初選擇的道路。”

據多位行業分析師認為,三星電子在HBM3晶片生產上的良率表現並不理想,僅維持在10-20%的水平。相比之下,其競爭對手SK海力士的HBM3良率高達60-70%。

HBM3和HBM3E,作為HBM晶片的最新迭代版本,正逐漸成為市場的寵兒。它們與核心微處理器晶片的緊密結合,為生成式人工智慧處理海量資料提供了強有力的支援。

據知情人士透露,三星正在積極與材料製造商展開談判,其中包括日本的Nagase等公司,旨在獲取MUF材料的穩定供應。然而,儘管三星已經下達了用於MUF技術的晶片製造裝置採購訂單,但由於需要進行更多的測試和最佳化,使用MUF技術大規模生產高階晶片最早可能要到明年才能準備就緒。

值得注意的是,三星計劃在其最新的HBM晶片中同時使用NCF和MUF技術。儘管三星表示其內部開發的NCF技術是HBM產品的“最佳解決方案”,並將用於新的HBM3E晶片,但顯然,三星也意識到了MUF技術在提高良率和效能方面的潛力。

三星使用MUF技術的計劃,無疑是其在人工智慧晶片競爭中迎頭趕上的重要舉措。根據研究公司TrendForce的資料,受人工智慧相關需求的推動,HBM晶片市場今年預計將實現翻倍增長,市場規模將達到近90億美元。

KB Securities資深分析師傑夫·金(Jeff Kim)近日預測,SK海力士今年在供應英偉達所需的HBM3及更高階HBM產品上的市場份額將突破80%。與此同時,美光科技也在上個月高調進軍高頻寬儲存晶片領域,宣佈其最新研發的HBM3E晶片已獲英偉達青睞,將為後者的H200 Tensor晶片提供強大動力,這款晶片預計將於今年第二季度開始發貨。

然而,據內部知情人士透露,三星的HBM3系列產品尚未透過英偉達的供貨資格認證。

三星的這一挫折也引起了投資者的密切關注。今年以來,三星的股價已累計下跌7%,不僅落後於競爭對手SK海力士的17%漲幅,也未能趕上美光的14%增幅。(編譯/金鹿)

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劃重點:

  • 1 報道稱,在AI晶片競賽中落後的三星將引入競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術。
  • 2 三星計劃在其最新的HBM晶片中同時使用NCF和MUF製造技術。
  • 3 三星已經下達了用於MUF技術的晶片製造裝置採購訂單,但大規模投產或等到明年。

騰訊科技訊 3月13日訊息,據國外媒體報道,援引多位知情人士透露,韓國三星電子公司宣佈啟動全新晶片製造計劃,此舉旨在借鑑競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術,以在全球高階人工智慧晶片生產競賽中迎頭趕上。

不過,三星電子方面回應稱,關於其將在HBM晶片生產中應用MUF技術的傳言並不屬實。

隨著生成式人工智慧技術的迅猛發展,市場對高頻寬儲存(HBM)晶片的需求呈井噴之勢。然而,與同行SK海力士和美光科技相比,三星在與人工智慧晶片巨頭英偉達的交易中卻缺席了。如今,三星決定另闢蹊徑,開啟新工藝,以滿足市場對最新HBM晶片的迫切需求。

業內分析人士和觀察家們普遍認為,三星電子在這場競爭中之所以落後,很大程度上源於其堅持採用非導電薄膜(NCF)晶片製造技術,這項技術曾一度引發生產問題。相比之下,SK海力士則明智地轉向批量回流模製底部填充(MR-MUF)方法,有效解決了NCF技術的弊端。

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劃重點:

  • 1 報道稱,在AI晶片競賽中落後的三星將引入競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術。
  • 2 三星計劃在其最新的HBM晶片中同時使用NCF和MUF製造技術。
  • 3 三星已經下達了用於MUF技術的晶片製造裝置採購訂單,但大規模投產或等到明年。

騰訊科技訊 3月13日訊息,據國外媒體報道,援引多位知情人士透露,韓國三星電子公司宣佈啟動全新晶片製造計劃,此舉旨在借鑑競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術,以在全球高階人工智慧晶片生產競賽中迎頭趕上。

不過,三星電子方面回應稱,關於其將在HBM晶片生產中應用MUF技術的傳言並不屬實。

隨著生成式人工智慧技術的迅猛發展,市場對高頻寬儲存(HBM)晶片的需求呈井噴之勢。然而,與同行SK海力士和美光科技相比,三星在與人工智慧晶片巨頭英偉達的交易中卻缺席了。如今,三星決定另闢蹊徑,開啟新工藝,以滿足市場對最新HBM晶片的迫切需求。

業內分析人士和觀察家們普遍認為,三星電子在這場競爭中之所以落後,很大程度上源於其堅持採用非導電薄膜(NCF)晶片製造技術,這項技術曾一度引發生產問題。相比之下,SK海力士則明智地轉向批量回流模製底部填充(MR-MUF)方法,有效解決了NCF技術的弊端。

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劃重點:

  • 1 報道稱,在AI晶片競賽中落後的三星將引入競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術。
  • 2 三星計劃在其最新的HBM晶片中同時使用NCF和MUF製造技術。
  • 3 三星已經下達了用於MUF技術的晶片製造裝置採購訂單,但大規模投產或等到明年。

騰訊科技訊 3月13日訊息,據國外媒體報道,援引多位知情人士透露,韓國三星電子公司宣佈啟動全新晶片製造計劃,此舉旨在借鑑競爭對手SK海力士的先進晶片製造技術,以在全球高階人工智慧晶片生產競賽中迎頭趕上。

不過,三星電子方面回應稱,關於其將在HBM晶片生產中應用MUF技術的傳言並不屬實。

隨著生成式人工智慧技術的迅猛發展,市場對高頻寬儲存(HBM)晶片的需求呈井噴之勢。然而,與同行SK海力士和美光科技相比,三星在與人工智慧晶片巨頭英偉達的交易中卻缺席了。如今,三星決定另闢蹊徑,開啟新工藝,以滿足市場對最新HBM晶片的迫切需求。

業內分析人士和觀察家們普遍認為,三星電子在這場競爭中之所以落後,很大程度上源於其堅持採用非導電薄膜(NCF)晶片製造技術,這項技術曾一度引發生產問題。相比之下,SK海力士則明智地轉向批量回流模製底部填充(MR-MUF)方法,有效解決了NCF技術的弊端。

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