據日經新聞8月23日報道，據多位業界相關人士指出，美國已敲定方案，計劃延長對外資在華晶圓廠入口美國裝置的“寬免期”進行延長，但詳細延長多久仍未確定，也有可能是無限制。

去年10月，美國出臺了對華半導體出口管制新規，限制了高效能晶片、製造進步前輩半導體所需的裝置的對華出口。隨後，美國政府對三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠給予了一年的寬免期，使得他們無需許可就能採購美國的半導體裝置，以維持他們在中國大陸晶圓廠的正常運營。

但是跟著一年寬免期的即將到期，假如三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠無法繼承延長“寬免期”，那麼後續晶圓廠正常出產和維護都將受到影響，從而導致供應鏈的混亂。特別是對於三星和海力士來說，他們在中國大陸都擁有著龐大的產能。資料顯示，三星NAND Flash快閃記憶體晶片40%產能都集中在中國大陸的晶圓廠。SK海力士40%-50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能都在中國大陸。顯然，假如他們在中國大陸的晶圓廠都無法正常運轉，那麼無疑將對他們造成重創，並嚴峻影響到全球供應鏈的不亂。

美國商務部產業暨安全事務次長艾斯特維茲（Alan Estevez）曾在6月出席半導體業界會議時也曾暗示，將延長對於三星、SK海力士、臺積電在中國大陸晶圓廠的寬免期。

日經新聞的報道還指出，進步前輩半導體裝置的出口管制已經施展效果，這可能也是美國考慮延長寬免期的原因。由於在進步前輩半導體裝置的管制上，日本和荷蘭都跟進美國，採取了同樣的限制措施。美國官員指出，“藉由美國出口管制和日本、荷蘭管制的複合效果，終極中國將難以出產進步前輩晶片”。

據日經新聞8月23日報道，據多位業界相關人士指出，美國已敲定方案，計劃延長對外資在華晶圓廠入口美國裝置的“寬免期”進行延長，但詳細延長多久仍未確定，也有可能是無限制。

去年10月，美國出臺了對華半導體出口管制新規，限制了高效能晶片、製造進步前輩半導體所需的裝置的對華出口。隨後，美國政府對三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠給予了一年的寬免期，使得他們無需許可就能採購美國的半導體裝置，以維持他們在中國大陸晶圓廠的正常運營。

但是跟著一年寬免期的即將到期，假如三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠無法繼承延長“寬免期”，那麼後續晶圓廠正常出產和維護都將受到影響，從而導致供應鏈的混亂。特別是對於三星和海力士來說，他們在中國大陸都擁有著龐大的產能。資料顯示，三星NAND Flash快閃記憶體晶片40%產能都集中在中國大陸的晶圓廠。SK海力士40%-50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能都在中國大陸。顯然，假如他們在中國大陸的晶圓廠都無法正常運轉，那麼無疑將對他們造成重創，並嚴峻影響到全球供應鏈的不亂。

美國商務部產業暨安全事務次長艾斯特維茲（Alan Estevez）曾在6月出席半導體業界會議時也曾暗示，將延長對於三星、SK海力士、臺積電在中國大陸晶圓廠的寬免期。

日經新聞的報道還指出，進步前輩半導體裝置的出口管制已經施展效果，這可能也是美國考慮延長寬免期的原因。由於在進步前輩半導體裝置的管制上，日本和荷蘭都跟進美國，採取了同樣的限制措施。美國官員指出，“藉由美國出口管制和日本、荷蘭管制的複合效果，終極中國將難以出產進步前輩晶片”。

據日經新聞8月23日報道，據多位業界相關人士指出，美國已敲定方案，計劃延長對外資在華晶圓廠入口美國裝置的“寬免期”進行延長，但詳細延長多久仍未確定，也有可能是無限制。

去年10月，美國出臺了對華半導體出口管制新規，限制了高效能晶片、製造進步前輩半導體所需的裝置的對華出口。隨後，美國政府對三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠給予了一年的寬免期，使得他們無需許可就能採購美國的半導體裝置，以維持他們在中國大陸晶圓廠的正常運營。

但是跟著一年寬免期的即將到期，假如三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠無法繼承延長“寬免期”，那麼後續晶圓廠正常出產和維護都將受到影響，從而導致供應鏈的混亂。特別是對於三星和海力士來說，他們在中國大陸都擁有著龐大的產能。資料顯示，三星NAND Flash快閃記憶體晶片40%產能都集中在中國大陸的晶圓廠。SK海力士40%-50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能都在中國大陸。顯然，假如他們在中國大陸的晶圓廠都無法正常運轉，那麼無疑將對他們造成重創，並嚴峻影響到全球供應鏈的不亂。

美國商務部產業暨安全事務次長艾斯特維茲（Alan Estevez）曾在6月出席半導體業界會議時也曾暗示，將延長對於三星、SK海力士、臺積電在中國大陸晶圓廠的寬免期。

日經新聞的報道還指出，進步前輩半導體裝置的出口管制已經施展效果，這可能也是美國考慮延長寬免期的原因。由於在進步前輩半導體裝置的管制上，日本和荷蘭都跟進美國，採取了同樣的限制措施。美國官員指出，“藉由美國出口管制和日本、荷蘭管制的複合效果，終極中國將難以出產進步前輩晶片”。

據日經新聞8月23日報道，據多位業界相關人士指出，美國已敲定方案，計劃延長對外資在華晶圓廠入口美國裝置的“寬免期”進行延長，但詳細延長多久仍未確定，也有可能是無限制。

去年10月，美國出臺了對華半導體出口管制新規，限制了高效能晶片、製造進步前輩半導體所需的裝置的對華出口。隨後，美國政府對三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠給予了一年的寬免期，使得他們無需許可就能採購美國的半導體裝置，以維持他們在中國大陸晶圓廠的正常運營。

但是跟著一年寬免期的即將到期，假如三星、SK海力士、臺積電等在中國大陸的晶圓廠無法繼承延長“寬免期”，那麼後續晶圓廠正常出產和維護都將受到影響，從而導致供應鏈的混亂。特別是對於三星和海力士來說，他們在中國大陸都擁有著龐大的產能。資料顯示，三星NAND Flash快閃記憶體晶片40%產能都集中在中國大陸的晶圓廠。SK海力士40%-50%的DRAM產能和20%的NAND Flash產能都在中國大陸。顯然，假如他們在中國大陸的晶圓廠都無法正常運轉，那麼無疑將對他們造成重創，並嚴峻影響到全球供應鏈的不亂。

美國商務部產業暨安全事務次長艾斯特維茲（Alan Estevez）曾在6月出席半導體業界會議時也曾暗示，將延長對於三星、SK海力士、臺積電在中國大陸晶圓廠的寬免期。

日經新聞的報道還指出，進步前輩半導體裝置的出口管制已經施展效果，這可能也是美國考慮延長寬免期的原因。由於在進步前輩半導體裝置的管制上，日本和荷蘭都跟進美國，採取了同樣的限制措施。美國官員指出，“藉由美國出口管制和日本、荷蘭管制的複合效果，終極中國將難以出產進步前輩晶片”。