說一個事實：就算我們買到EUV光刻機，也製造不了7nm晶片-今日必看

說一個事實：就算我們買到EUV光刻機，也製造不了7nm晶片

來源：變廢為寶釋出時間：2023-08-11 17:01

荷蘭出臺的關於半導體裝置/技術的禁令

荷蘭最近出臺了一項與美國之前步調基本一致的半導體裝置/技術禁令，限制了14nm及以下工藝的裝置的出口。不外，對於浸潤式光刻機這一關鍵裝置，荷蘭給出了一定的留白，NXT:1800Di這款光刻機不在禁令範圍內，仍可以出口。據媒體透露，這臺NXT:1800Di光刻機採用的是193nm波長、38nm解析度和1.35NA數值孔徑，經由多次曝光，可以實現最高7nm的工藝。臺積電的第一代7nm工藝就是基於這款光刻機實現的。因此，許多網友表示，這個動靜好像給了我們一個進入7nm工藝的機會。

然而，儘管網友對此抱有夸姣的期望，事實卻並不樂觀。對於中國當前的晶片工業而言，要實現7nm工藝並不現實，甚至連使用NXT:1800Di光刻機也是一種奢望。NXT:1800Di光刻機需要經由多次曝光，而目前多次曝光技術有三種方法，包括LELE、LFLE和SADP。然而，無論採用哪種方法，它們對刻蝕、沉積等工藝都要求非常高，並且本錢也可能高出2-3倍，這顯然不適用於我們當前的情況。更重要的是，晶片製造不僅僅依賴於光刻機的精度，還需要其他裝置和材料達到進步工藝的要求。從矽晶圓到成品晶片，中間需要使用幾十種裝置、進行幾百道工序。簡樸來說，像擴散、薄膜沉積、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化等這些裝置，都必需支援7nm工藝才行。連光刻膠、靶材等材料也必需適應7nm工藝。目前，我國自主出產的裝置和材料大多還停留在28nm、14nm甚至40nm水平，要實現7nm工藝，絕大部分裝置和材料都需要入口。然而，當前進步工藝的裝置和技術的入口基本上都受到了限制。

因此，我們不能寄希望於荷蘭放寬限制、讓我們購買EUV光刻機，以此來迅速實現7nm工藝。即便我們能夠買到EUV光刻機，我們也無法制造出7nm的晶片，由於其他裝置和材料同樣受到了限制。要突破國產晶片的困境，我們應該把但願寄託在國產供應鏈的突破上。只有當國產供應鏈能夠全面實現7nm工藝，包括光刻機在內的各種半導體裝置和各種半導體材料，才能真正掙脫後顧之憂。否則，一旦別人限制我們，整個產業鏈就會陷入困境。對此，我們應該有清醒的熟悉。

關於荷蘭禁令的分析

荷蘭近期的半導體裝置/技術禁令引起了人們的廣泛關注。這個禁令與美國的措施十分相似，對14nm及以下工藝的裝置實施全面限制。但在浸潤式光刻機方面，荷蘭給予了一定的開放，不禁止入口NXT:1800Di這款浸潤式光刻機。這款光刻機採用了193nm波長、38nm解析度和1.35NA數值孔徑，在多次曝光的情況下能夠實現高達7nm的工藝。臺積電的第一代7nm工藝就是採用這款光刻機實現的，因此這個動靜讓人們對進入7nm工藝佈滿了期望。

然而，儘管網友們對這個機會抱有但願，但現實情況卻並不如人們所想象的樂觀。對於中國的晶片工業來說，要實現7nm工藝目前是非常難題的，哪怕是使用NXT:1800Di這樣的光刻機也是不現實的。NXT:1800Di光刻機需要經由多次曝光才能實現目標工藝，而目前多次曝光技術有三種方法，包括LELE、LFLE和SADP。然而，無論採用哪種方法，都對刻蝕、沉積等工藝有極高的要求，同時本錢也會增加2-3倍，這對我們海內的晶片製造方面來說是難以適應的。更重要的是，晶片製造並不僅僅依賴於光刻機的精度，還需要其他裝置和材料達到進步工藝的要求。從矽晶圓到成品晶片，涉及到幾十種裝置和數百道工序。好比擴散、薄膜沉積、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化等過程，都需要達到7nm工藝的要求。甚至連光刻膠、靶材等材料也都需要支援7nm工藝。然而，目前海內自主研發的裝置和材料主要停留在28nm、14nm甚至40nm工藝水平，要實現7nm工藝還需要大量進口裝置和材料。然而，當前進步工藝裝置和技術的入口基本上都受到了限制。

因此，我們不能寄希望於荷蘭放開限制、購買EUV光刻機來迅速實現7nm工藝。即便我們購買到了EUV光刻機，我們也無法制造出7nm的晶片，由於其他裝置和材料同樣受到了限制。要突破國產晶片的困境，我們應該把但願寄託在國產供應鏈的突破上。只有當國產供應鏈能夠全面實現7nm工藝，包括光刻機在內的各種半導體裝置和各種半導體材料，才能真正解決發展中面臨的問題。否則，一旦受制於人，整個產業鏈就會陷入危機之中。對此，我們應該有清醒的熟悉。

對國產晶片發展的思索和瞻望

當前，在國際半導體工業中，國產晶片的地位與影響力逐漸上升。然而，要想實現晶片製造的自主突破仍舊面臨諸多挑戰。正如荷蘭禁令所展現的，海內晶片工業的核心問題不僅僅在於是否能夠購買到進步的裝置，更在於是否能夠形成自主可控的供應鏈。只有在材料、裝置等各個環節都達到進步工藝，才能在國產晶片發展中真正掙脫後顧之憂。

面對這一現狀，我們需要加大自主研發的力度。在材料方面，海內企業應該加強研發，全面提高自主創新能力，儘快填補技術空缺。在裝置方面，國家應該加大投入，鼓勵企業進行研發和立異，培養一批具備自主智慧財產權的裝置製造企業。同時，政府還可以採取鼓勵引導的方式，在政策上給予支援和優惠，促進海內晶片工業的發展和自主立異。