三星更新工藝技術路線圖：2025 年 2nm，2027 年 1.4nm

來源：穿搭日記 釋出時間：2023-06-28 12:01

IT之家 6 月 28 日訊息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高 12% 的效能，在相同的效能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列提高前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝相比，三星的 5 奈米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的製造能力。三星計劃於 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產晶片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔淨室容量比 2021 年增加 7.3 倍。

IT之家 6 月 28 日訊息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高 12% 的效能，在相同的效能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列提高前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝相比，三星的 5 奈米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的製造能力。三星計劃於 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產晶片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔淨室容量比 2021 年增加 7.3 倍。

IT之家 6 月 28 日訊息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高 12% 的效能，在相同的效能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列提高前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝相比，三星的 5 奈米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的製造能力。三星計劃於 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產晶片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔淨室容量比 2021 年增加 7.3 倍。

IT之家 6 月 28 日訊息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高 12% 的效能，在相同的效能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列提高前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝相比，三星的 5 奈米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的製造能力。三星計劃於 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產晶片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔淨室容量比 2021 年增加 7.3 倍。

IT之家 6 月 28 日訊息，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上公佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還公佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下提高 12% 的效能，在相同的效能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列提高前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷提升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼續發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝相比，三星的 5 奈米射頻預計可以提高 40% 的功耗效率，提高約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始生產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

在擴大技術供應方面，三星代工仍然致力於擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的製造能力。三星計劃於 2023 年下半年在其平澤 3 號生產線（P3）開始量產晶片。泰勒市新建廠房預計將於今年年底完工，並於 2024 年下半年開始運營。三星目前的計劃是到 2027 年將其潔淨室容量比 2021 年增加 7.3 倍。