IT之家 6 月 28 日動靜，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上宣佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還宣佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 比擬，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下進步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下進步 12% 的機能，在相同的機能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列進步前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷晉升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼承發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝比擬，三星的 5 奈米射頻預計可以進步 40% 的功耗效率，進步約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始出產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

IT之家 6 月 28 日動靜，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上宣佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還宣佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 比擬，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下進步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下進步 12% 的機能，在相同的機能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列進步前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷晉升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼承發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝比擬，三星的 5 奈米射頻預計可以進步 40% 的功耗效率，進步約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始出產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

IT之家 6 月 28 日動靜，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上宣佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還宣佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 比擬，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下進步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下進步 12% 的機能，在相同的機能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列進步前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷晉升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼承發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝比擬，三星的 5 奈米射頻預計可以進步 40% 的功耗效率，進步約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始出產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。

IT之家 6 月 28 日動靜，根據三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工論壇（SFF 2023）上宣佈的最新工藝技術路線圖，該公司計劃在 2025 年推出 2 奈米級的 SF2 工藝，2027 年推出 1.4 奈米級的 SF1.4 工藝。與此同時，該公司還宣佈了 SF2 工藝的一些特性。

三星的 SF2 工藝是在今年早些時候推出的第三代 3 奈米級（SF3）工藝的基礎上進一步最佳化的。與 SF3 比擬，SF2 工藝可以在相同的頻率和複雜度下進步 25% 的功耗效率，在相同的功耗和複雜度下進步 12% 的機能，在相同的機能和複雜度下減少 5% 的面積。為了讓 SF2 工藝更具競爭力，三星還將為該工藝提供一系列進步前輩的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

繼 SF2 之後，三星將在 2026 年推出針對高效能計算（HPC）最佳化的 SF2P，以及於 2027 年推出針對汽車應用最佳化的 SF2A 工藝。同樣在 2027 年，該公司還計劃開始使用 SF1.4（1.4 奈米級）製造工藝進行量產。三星的 2 奈米級工藝將與臺積電的 N2（2 奈米級）工藝大致同步，比英特爾的 20A 工藝晚一年左右。

IT之家留意到，除了不斷晉升自己的工藝技術，三星代工還計劃繼承發展其射頻技術。該公司預計其 5 奈米射頻工藝技術將於 2025 年上半年準備就緒，與舊版 14 奈米射頻工藝比擬，三星的 5 奈米射頻預計可以進步 40% 的功耗效率，進步約 50% 的電晶體密度。此外，三星還將於 2025 年開始出產氮化鎵（GaN）功率半導體，用於消費品、資料中心和汽車領域等各種應用。