苦熬6年, 中國晶棧架構晶片實現反超, 這速度沒想到

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苦熬6年, 中國晶棧架構晶片實現反超, 這速度沒想到

來源:旅遊那點事 釋出時間:2022-12-08 15:41

近些年來,晶片製造的前道環節開始成為晶片產業的焦點,因為該環節決定了一顆晶片的製造工藝,製造工藝越提高前輩,那麼晶片整合的電晶體就越多,晶片的計算能力也就越強。

其實之前的很長時間,晶片製造環節都是屬於勞動密集型產業,技術難度並不是很高,晶片產業的重點是晶片設計,也就是說,透過設計晶片的架構,來達到效能的強大,晶片製造工藝的提升是對晶片效能提升的輔助手段。

那麼為什麼後來變了呢?主要是因為作為晶片設計的主要玩家美國企業,在晶片設計上的實力下降了,仍是拿英特爾來說,其酷睿微架構已經使用了16年時間,歐洲企業上,移動晶片上的ARM V8架構也用了10年時間。

具體舉例來說,英特爾的酷睿微架構,從2代到12代的效能平均複合增長率只有約14%,所以既然作為提升效能的主要手段,晶片設計上不給力,那麼就只能依靠採用更提高前輩的製造工藝這個輔助手段了。

近日美國半導體行業協會就表示,美國晶片企業在晶片設計上的優勢正面臨動搖,巧合的是,就在這時,我們中企自研的晶棧架構晶片傳來了好訊息,採用晶棧3.0架構的200+層NAND快閃記憶體成功量產,並且進入零售市場。

這是一次歷史性的突破,因為在該領域,一直以來都是美韓晶片企業在主導,例如美國美光在今年就率先推出了200+層NAND快閃記憶體晶片的解決方案,但是卻遲遲沒有落地,也就是沒有應用到零售市場,這也就是我們喜聞樂見的PPT釋出。

為了實現這一刻,我們中企在NAND快閃記憶體晶片上苦熬了6年時間,這中間還遭受了美方面的阻撓,例如禁止ASML供應EUV光刻機,禁止美晶片裝置企業供應相關製造裝置,禁止蘋果採購,所以能夠實現這樣的歷史突破,恐怕美光應該是沒有想到。

因為這速度太快了,美光是一家成立了44年的晶片企業,但是對於這樣的結果,歐洲方面反而是比較理性,近日歐洲智庫針對歐盟推出的晶片法案,即450億歐元的晶片補貼措施釋出了報告,其認為應該充分借鑑我們經驗,重點關注晶片設計,我們企業僅用了不到10年的時間,就在晶片設計領域據有了一席之地。

而我們再回過頭來反觀NAND快閃記憶體晶片,這是一種應用範圍非常廣泛的晶片,大到伺服器、PC電腦、汽車,小到手機、智慧手錶等電子裝置,都需要用到快閃記憶體晶片,以2021年的資料為例,全球NAND快閃記憶體晶片的市場規模達到了約5000億人民幣。

或許大家對這個數字沒有太大的概念,那麼可以用手機晶片來作為對比,2021年全球手機晶片的市場規模約為2500億人民幣,NAND快閃記憶體晶片是手機晶片市場規模的約兩倍。

由此可見NAND快閃記憶體晶片有多麼的重要,這次在快閃記憶體晶片上的突破,已經展示了中企在晶片設計上的實力,實際上,近年來,我們在晶片設計領域實現了多點開花,例如RISC-V指令集架構,我們國產晶片已經在多個領域成為領導者,在晶片IP技術上,我們中企已經進入全球前十,即將進入全球前五。

而從晶片的落地情況來看,今年以來,進口晶片越來越少,具體來說,今年前十個月,晶片進口數量減少了超過13%,約700億顆晶片被被砍單,顯然,國產晶片已經實現了大量的替代進口晶片,而就在臺積電都都在縮減資本支出的當下,中芯國際卻逆市擴產36萬片,媒體方面表示,國產晶片產業現在是產銷兩旺,我們相信,國產晶片在不斷地努力下,終將破繭成蝶。

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